Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 1000 A 2300 V Enrichissement, 15 broches, XHP-2 XHP 2 Non

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Code commande RS:
762-890
Référence fabricant:
FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

Modules MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1000A

Tension Drain Source maximum Vds

2300V

Type de Boitier

XHP-2

Série

XHP 2

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

15

Résistance Drain Source maximum Rds

1.59mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.98μC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension directe Vf

6.25V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-23V

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Demi-pont

Longueur

140mm

Largeur

100mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le module demi-pont MOSFET CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 2 300 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est doté d'une plaque de base AlSiC pour une capacité de cyclage thermique accrue et des distances de fuite et de dégagement élevées.

Conception peu inductive

Faibles pertes de commutation

Haute densité de puissance

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