Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 1185 A 2300 V Enrichissement, 15 broches, XHP-2 XHP 2 Non

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Code commande RS:
762-888
Référence fabricant:
FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Modules MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1185A

Tension Drain Source maximum Vds

2300V

Série

XHP 2

Type de Boitier

XHP-2

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

15

Résistance Drain Source maximum Rds

1.19mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Tension directe Vf

6.25V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.3μC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-23V

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Demi-pont

Largeur

100mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

140mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le module demi-pont MOSFET CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 2 300 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est doté d'une plaque de base AlSiC pour une capacité de cyclage thermique accrue et des distances de fuite et de dégagement élevées.

Conception peu inductive

Faibles pertes de commutation

Haute densité de puissance

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