Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 710 A 2300 V Enrichissement, 15 broches, XHP-2 XHP 2 Non
- Code commande RS:
- 762-891
- Référence fabricant:
- FF2000UXTR23T2M1BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
2 634,85 €
HT
3 161,82 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 2 634,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 762-891
- Référence fabricant:
- FF2000UXTR23T2M1BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | Canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 710A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 2300V | |
| Type de Boitier | XHP-2 | |
| Série | XHP 2 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Nombre de broches | 15 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 6.25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.65μC | |
| Configuration du transistor | Demi-pont | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 140mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal Canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 710A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 2300V | ||
Type de Boitier XHP-2 | ||
Série XHP 2 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Nombre de broches 15 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 6.25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.65μC | ||
Configuration du transistor Demi-pont | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 140mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module demi-pont MOSFET CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 2 300 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est doté d'une plaque de base AlSiC pour une capacité de cyclage thermique accrue et des distances de fuite et de dégagement élevées.
Conception peu inductive
Faibles pertes de commutation
Haute densité de puissance
Nos clients ont également consulté
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1185 A 2300 V Enrichissement XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1070 A 2300 V Enrichissement XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1330 A 2300 V Enrichissement XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 675 A 2300 V Enrichissement XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1000 A 2300 V Enrichissement XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1050 A 2300 V XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1150 A 2300 V XHP-2 XHP 2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 1335 A 2300 V Enrichissement AG-XHP2K33 XHP 2 Non