Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 185 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, AG-62MMHB C Series Non

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Code commande RS:
762-899
Référence fabricant:
FF5MR20KM1HSHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Canal N

Type de produit

Modules MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

185A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

C Series

Type de Boitier

AG-62MMHB

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

4.62mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension directe Vf

6.25V

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.65μC

Configuration du transistor

Demi-pont

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

106.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module demi-pont MOSFET Trench CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 2 000 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est adapté aux systèmes d'alimentation sans coupure, aux convertisseurs DC/DC, aux applications de commutation à haute fréquence, aux applications solaires, aux systèmes de stockage d'énergie (ESS) et aux chargeurs DC pour véhicules électriques.

Faibles pertes de commutation

Haute densité de courant

Qualifié pour les applications industrielles

Isolation 4 kV c. a. 1 min

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