Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 185 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, AG-62MMHB C Series Non

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Code commande RS:
762-898
Référence fabricant:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Canal N

Type de produit

Modules MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

185A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

AG-62MMHB

Série

C Series

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

4.62mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.65μC

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Tension directe Vf

6.25V

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Demi-pont

Longueur

106.4mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module demi-pont MOSFET Trench CoolSiC d'Infineon est doté d'une tension nominale de 2 000 V et prend en charge une densité de courant élevée. Il est adapté aux systèmes d'alimentation sans coupure, aux convertisseurs DC/DC, aux applications de commutation à haute fréquence, aux applications solaires, aux systèmes de stockage d'énergie (ESS) et aux chargeurs DC pour véhicules électriques.

Faibles pertes de commutation

Haute densité de courant

Qualifié pour les applications industrielles

Isolation 4 kV c. a. 1 min

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