MOSFETs simples canal N onsemi 200 mA 60 V N, 3 broches, TO-92 2N700
- Code commande RS:
- 765-295
- Référence fabricant:
- 2N7000BU
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 765-295
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- 2N7000BU
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | 2N700 | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 400mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Hauteur | 4.19mm | |
| Longueur | 20.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série 2N700 | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 400mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.2mm | ||
Hauteur 4.19mm | ||
Longueur 20.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à mode d'amélioration à canal N d'Onsemi est conçu pour offrir des performances de commutation exceptionnelles dans les applications basse tension et faible courant. Utilisant la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules, ce transistor fiable maintient une résistance minimale à l'état passant, ce qui le rend idéal pour diverses applications, y compris la commande de servomoteur de petite taille et les pilotes de grille MOSFET de puissance. Avec une conception robuste qui prend en charge jusqu'à 400 mA de courant continu et des courants d'impulsion atteignant 2 A, il offre à la fois durabilité et efficacité, garantissant qu'il répond aux exigences des conceptions électroniques modernes.
Les temps de commutation rapides améliorent les performances globales du système
Conçu pour une meilleure robustesse inductive, garantissant la fiabilité dans des conditions difficiles
La faible capacité d'entrée facilite une réponse plus rapide et une consommation d'énergie réduite
La zone de fonctionnement sécurisée étendue maximise les performances dans des conditions variables
La fiabilité à haute température contribue à une plus longue durée de vie du produit
Ce dispositif est sans plomb, conforme aux pratiques de fabrication respectueuses de l'environnement
Caractéristiques thermiques efficaces permettant un fonctionnement constant dans divers environnements
Le boîtier TO-92 compact permet une intégration facile dans diverses applications
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