MOSFET canal N Microchip 41 A 500 V, 4 broches, SOT Power MOS 7 Non
- Code commande RS:
- 813-813
- Référence fabricant:
- APT5010JLLU2
- Marque:
- Microchip
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38,06 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 38,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 813-813
- Référence fabricant:
- APT5010JLLU2
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 41A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | Power MOS 7 | |
| Type de Boitier | SOT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 378W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 11.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 38.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 41A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série Power MOS 7 | ||
Type de Boitier SOT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 378W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 11.2mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 38.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le dispositif MOSFET haute performance de Microchip est conçu pour un fonctionnement efficace dans les applications exigeantes. Ce composant excelle dans la commande de moteur c. a. et c. c. et fournit des solutions de gestion de l'énergie robustes.
La tension de rupture drain-source de 500 V améliore la fiabilité dans diverses applications
La faible résistance à l'état passant de 100 mΩ minimise la perte d'énergie et optimise les performances
Conçu avec une faible charge de grille pour une meilleure efficacité de commutation
Construit avec un boîtier robuste qui prend en charge le montage direct sur les dissipateurs thermiques
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