MOSFET N Microchip 113 A 1200 V, 4 broches, TO-247-4 mSiC AEC-Q101

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Code commande RS:
813-817
Référence fabricant:
MSC025SMA120B4N
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de canal

Canal N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

113A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

TO-247-4

Série

mSiC

Type de montage

Borne à vis

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

25mΩ

Charge de porte typique Qg @ Vgs

232nC

Tension directe Vf

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.21mm

Longueur

41.42mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

16.13mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET mSiC à canal N de Microchip est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans les applications à haute température. Ses caractéristiques robustes garantissent des performances fiables dans les environnements exigeants.

Option certifiée AEC-Q101 disponible

La charge de grille et les capacités faibles améliorent l'efficacité

Capacités thermiques élevées réduisant les pertes de commutation

Fonctionnement stable jusqu'à une température de jonction de 175 °C

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