MOSFET canal N Microchip 27 A 3.3 kV, 4 broches, TO-247-4L mSiC
- Code commande RS:
- 813-825
- Référence fabricant:
- MSC080SMA330B4N
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 56,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 813-825
- Référence fabricant:
- MSC080SMA330B4N
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 27A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 3.3kV | |
| Type de Boitier | TO-247-4L | |
| Série | mSiC | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 80mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 161nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 439W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Largeur | 23.6mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 27A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 3.3kV | ||
Type de Boitier TO-247-4L | ||
Série mSiC | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 161nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 439W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Largeur 23.6mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET mSiC à canal N de Microchip est un commutateur électronique hautes performances conçu pour fonctionner efficacement à des tensions et des températures élevées. Il fonctionne principalement pour réguler la puissance dans les applications avancées.
Les faibles capacités et la charge de grille améliorent l'efficacité de la commutation
Vitesse de commutation rapide garantissant des performances optimales avec des pertes réduites
Fonctionnement stable à des températures de jonction élevées jusqu'à 150 °C
La diode de corps fiable contribue à la stabilité et à la longévité du système
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