MOSFET canal N onsemi 45 A 1700 V Enrichissement, 4 broches, TO-247-4L EliteSiC

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Code commande RS:
333-413
Référence fabricant:
NVH4L050N170M1
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

45A

Tension Drain Source maximum Vds

1700V

Type de Boitier

TO-247-4L

Série

EliteSiC

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

76mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Tension directe Vf

4.3V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

105nC

Dissipation de puissance maximum Pd

333W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

Pb-Free and RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance haute tension ON Semiconductor est conçu pour des applications de commutation efficaces, assurant de faibles pertes de conduction et un fonctionnement fiable. Son boîtier avancé offre d'excellentes performances thermiques et convient par conséquent aux environnements exigeants. Ce dispositif offre des capacités de traitement de puissance améliorées avec des caractéristiques électriques optimisées.

Boîtier TO 247 4L

Conformité RoHS

Sans plomb

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