MOSFET canal N onsemi 915 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 NTA
- Code commande RS:
- 103-5120
- Référence fabricant:
- NTA4153NT1G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,053 € | 159,00 € |
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- Code commande RS:
- 103-5120
- Référence fabricant:
- NTA4153NT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 915mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SC-75 | |
| Série | NTA | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 6V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 0.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 915mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SC-75 | ||
Série NTA | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 6V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 0.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.6mm | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 20 V, ON Semiconductor
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