MOSFET P Nexperia 3.9 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23

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Code commande RS:
103-8142
Référence fabricant:
PMV65XP,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.9A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

76mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.92W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Tension directe Vf

-0.8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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