MOSFET canal N Infineon 46 A 60 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS
- Code commande RS:
- 110-9115
- Référence fabricant:
- BSC097N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
6,00 €
HT
7,25 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 4 375 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 décembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,24 € | 6,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 110-9115
- Référence fabricant:
- BSC097N06NSATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 14.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 36W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 14.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 36W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 5.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS non applicable
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain de 60 V, courant de drain continu de 46 A - BSC097N06NSATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drainage continu de 46 A prend en charge la gestion des charges à courant élevé
• Le faible RDS(on) de 14,6 mΩ réduit les pertes de conduction dans les chemins d'alimentation
• La dissipation de puissance maximale de 36 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 12 nC permet des transitions de grille rapides
• La tolérance gate-source de 20 V permet des tensions d'entraînement flexibles
Applications
• Idéal pour les circuits à demi-pont d'entraînement de moteur
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. dans les alimentations de serveur
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et la distribution d'énergie
• Adapté pour la commutation de point de charge à courant élevé
Quel environnement thermique peut-il supporter pendant le fonctionnement?
Quel boîtier et quelle méthode de montage sont fournis pour l'assemblage de circuits imprimés?
Quel type de canal et quel mode sont mis en œuvre pour le comportement de commutation?
Combien de connexions électriques le dispositif présente-t-il sur un circuit?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 46 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 50 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 20 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 100 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 60 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS-TM5
- MOSFET canal N Infineon 100 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 40 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS 5
- MOSFET et Diode canal N Infineon 137 A 60 V Enrichissement TDSON OptiMOS
