MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
- Code commande RS:
- 111-6484
- Référence fabricant:
- STW48N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 111-6484
- Référence fabricant:
- STW48N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh DM2 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 79mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh DM2 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 79mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
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