MOSFET canal N STMicroelectronics 66 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
- Code commande RS:
- 111-6487
- Référence fabricant:
- STW70N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 19,10 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
10,02 €
HT
12,02 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 10,02 € | - |
| 10 - 99 | 8,11 € | 19,10 € |
| 100 - 1199 | 8,01 € | 201,00 € |
| 1200 + | 7,92 € | 2 520,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 111-6487
- Référence fabricant:
- STW70N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 66A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | MDmesh DM2 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 42mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 66A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série MDmesh DM2 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 42mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 121nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 66 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 50 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 28 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 28 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement TO-263 MDmesh DM2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 1.5 kV Enrichissement TO-247 MDmesh