MOSFET P onsemi 19 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 QFET
- Code commande RS:
- 124-1401
- Référence fabricant:
- FQPF27P06
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
75,35 €
HT
90,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 900 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,507 € | 75,35 € |
| 250 - 950 | 1,289 € | 64,45 € |
| 1000 - 2450 | 1,256 € | 62,80 € |
| 2500 + | 1,224 € | 61,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1401
- Référence fabricant:
- FQPF27P06
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | QFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -4V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25, +25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 120W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 16.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série QFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -4V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25, +25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 120W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 16.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.7mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P onsemi 19 A 60 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET N onsemi 19 A 200 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET P onsemi 27 A 60 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET P onsemi 30 A 60 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET P onsemi 47 A 60 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET P onsemi 17 A 60 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET P onsemi 5.2 A 200 V Enrichissement TO-220 QFET
- MOSFET QFET à canal P P onsemi 2.7 A 500 V Enrichissement JEDEC TO-220AB QFET