MOSFET canal N onsemi 50 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MegaFET
- Code commande RS:
- 124-1672
- Référence fabricant:
- RFP50N06
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,112 € | 55,60 € |
| 100 - 450 | 0,942 € | 47,10 € |
| 500 - 950 | 0,87 € | 43,50 € |
| 1000 + | 0,859 € | 42,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1672
- Référence fabricant:
- RFP50N06
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | MegaFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 125nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 131W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série MegaFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 125nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 131W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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