MOSFET canal N onsemi 16 A 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MegaFET
- Code commande RS:
- 761-3574
- Référence fabricant:
- RFD16N05LSM9A
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 761-3574
- Référence fabricant:
- RFD16N05LSM9A
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | MegaFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 47mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, +10V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 60W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série MegaFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 47mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, +10V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 60W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Le processus MegaFET, qui utilise des tailles proches des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances remarquables.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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