Références fabricant

MOSFET N onsemi 20 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

Code commande RS:: 124-5401
Référence fabricant:: NTD5867NLT4G
Marque:: onsemi

MOSFET N onsemi 20 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

Visuel non contractuel

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 124-5401
Référence fabricant:: NTD5867NLT4G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	Type N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	20A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	Surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	50mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	15nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	36W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	2.38mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.73mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal Type N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 20A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage Surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 36W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 2.38mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.73mm
	Standard automobile Non

Datasheet

MOSFET N onsemi 20 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

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