MOSFET canal N onsemi 20 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 124-5401
- Référence fabricant:
- NTD5867NLT4G
- Marque:
- onsemi
Visuel non contractuel
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 124-5401
- Référence fabricant:
- NTD5867NLT4G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 36W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 36W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CZ
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
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