MOSFET canal N onsemi 18 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 NTD18N06L

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
773-7875
Référence fabricant:
NTD18N06LT4G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

NTD18N06L

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Dissipation de puissance maximum Pd

55W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15V, +15V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.38mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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