MOSFET canal N onsemi 11 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RFD3055LESM

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802-2159
Référence fabricant:
RFD3055LESM9A
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

RFD3055LESM

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

107mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16V, +16V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

38W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.4nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.39mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Standard automobile

Non

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