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MOSFET canal N onsemi 16 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RFD16N06LESM

Code commande RS:: 802-2146
Référence fabricant:: RFD16N06LESM9A
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 16 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RFD16N06LESM

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500 - 995	1,652 €	8,26 €
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Code commande RS:: 802-2146
Référence fabricant:: RFD16N06LESM9A
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	16A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	RFD16N06LESM
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	47mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	90W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	51nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-8V, +10V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.39mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.22mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 16A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-252
	Série RFD16N06LESM
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 47mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 90W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +10V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.39mm
	Normes/homologations No
	Largeur 6.22mm
	Standard automobile Non

RFD16N06LESM, N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V 16A 47mOhm Data Sheet

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