MOSFET N onsemi 16 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RFD16N06LESM
- Code commande RS:
- 166-3194
- Référence fabricant:
- RFD16N06LESM9A
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 910,00 €
HT
2 292,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 31 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,764 € | 1 910,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-3194
- Référence fabricant:
- RFD16N06LESM9A
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | RFD16N06LESM | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 47mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 51nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 90W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série RFD16N06LESM | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 47mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 51nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 90W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 16 A 60 V Enrichissement TO-252 RFD16N06LESM
- MOSFET N onsemi 20 A 60 V Enrichissement TO-252
- MOSFET N onsemi 11.5 A 60 V Enrichissement TO-252 PowerTrench
- MOSFET N onsemi 18 A 60 V Enrichissement TO-252 UltraFET
- MOSFET N onsemi 11 A 60 V Enrichissement TO-252 RFD3055LESM
- MOSFET N onsemi 24 A 60 V Enrichissement TO-252 NTD24N06L
- MOSFET N onsemi 18 A 60 V Enrichissement TO-252 NTD18N06L
- MOSFET P onsemi 15.5 A 60 V Enrichissement TO-252
