MOSFET canal N Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 BSS138BKW AEC-Q101
- Code commande RS:
- 124-2290
- Référence fabricant:
- BSS138BKW,115
- Marque:
- Nexperia
Ajoutez 9000 de plus pour économiser 18,00 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
219,00 €
HT
264,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 9 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* | Économie |
|---|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,073 € | 219,00 € | - |
| 9000 + | 0,071 € | 213,00 € | 18,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-2290
- Référence fabricant:
- BSS138BKW,115
- Marque:
- Nexperia
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 320mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | BSS138BKW | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 310mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 320mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série BSS138BKW | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 310mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-70 BSS138BKW AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-70 BSS138PW AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 1 canal N Simple Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 310 mA 60 V Enrichissement SC-70 2N7002BKW AEC-Q101
- MOSFET P Nexperia 200 mA 30 V Enrichissement SC-70 NX3008PBKW AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 310 mA 60 V Enrichissement SC-70 2N7002PW AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 350 mA 30 V Enrichissement SC-70 NX3008NBKW AEC-Q101
