MOSFET canal N Nexperia 59 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669
- Code commande RS:
- 124-2405
- Référence fabricant:
- PSMN012-60YS,115
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*
1 117,50 €
HT
1 341,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,745 € | 1 117,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-2405
- Référence fabricant:
- PSMN012-60YS,115
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 59A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-669 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 4.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 59A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-669 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 4.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 59 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 89 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 44 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 82 A 80 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 40 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 25 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 44 A 30 V Enrichissement SOT-669