MOSFET canal N Nexperia 59 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

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Code commande RS:
798-2823
Référence fabricant:
PSMN012-60YS,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

59A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

17.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

89W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.1mm

Largeur

4.1mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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