MOSFET canal N Nexperia 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263
- Code commande RS:
- 124-2410
- Référence fabricant:
- PSMN1R7-60BS,118
- Marque:
- Nexperia
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 124-2410
- Référence fabricant:
- PSMN1R7-60BS,118
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 306W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 137nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Longueur | 10.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 11mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 306W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 137nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Longueur 10.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 11mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
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