MOSFET Simple canal N Nexperia 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263
- Code commande RS:
- 165-9941
- Référence fabricant:
- PSMN4R5-40BS,118
- Marque:
- Nexperia
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 165-9941
- Référence fabricant:
- PSMN4R5-40BS,118
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V, -20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 148W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Largeur | 11mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Longueur | 10.3mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V, -20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 148W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Largeur 11mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Longueur 10.3mm | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 55 V
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Simple canal N Nexperia 100 A 40 V Enrichissement TO-263
- FET logique TrenchMOS canal N Nexperia 75 A 40 V Enrichissement TO-263 BUK964R4-40B AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 120 A 60 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 60 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N Nexperia 120 A 30 V Enrichissement TO-263 PSMN3R4-30BLE Non
- MOSFET canal N Nexperia 75 A 40 V Enrichissement TO-252 BUK720840B AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 80 V Enrichissement LFPAK PSM