MOSFET canal N Nexperia 75 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 BUK720840B AEC-Q101
- Code commande RS:
- 151-3421
- Référence fabricant:
- BUK7208-40B,118
- Marque:
- Nexperia
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 151-3421
- Référence fabricant:
- BUK7208-40B,118
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | BUK720840B | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 167W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 185°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série BUK720840B | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 167W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 185°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor FET TrenchMOS canal N de niveau standard, transistor FET (Field-Effect) à mode d'enrichissement canal N de niveau standard dans un boîtier en plastique avec la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu et certifié conforme à la norme AEC pour une utilisation dans les applications automobiles critiques.
Faibles pertes de conduction grâce à la faible résistance à l'état passant
Conforme à la norme Q101
Adapté pour les sources de commande de grille de niveau standard
Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 185 °C
Charges 12 V
Systèmes automobiles
Commutation de puissance à usage général
Moteurs, lampes et solénoïdes
Nos clients ont également consulté
- FET logique TrenchMOS canal N Nexperia 75 A 40 V Enrichissement TO-263 BUK964R4-40B AEC-Q101
- MOSFET Simple canal N Nexperia 100 A 40 V Enrichissement TO-263
- MOSFET canal N Infineon 12 A 75 V Enrichissement TO-252 HEXFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 30 A 75 V Enrichissement TO-252 OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, TO-252 AEC-Q101
- MOSFET P Infineon -85 A -40 V Enrichissement, TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET Simple canal N Vishay 50 A 50 V Enrichissement TO-252 SQ Rugged AEC-Q101, AEC-Q101
