MOSFET canal N Nexperia 75 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 BUK720840B AEC-Q101

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Code commande RS:
151-3421
Référence fabricant:
BUK7208-40B,118
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

BUK720840B

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

15.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

167W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

185°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Hauteur

2.38mm

Longueur

6.73mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor FET TrenchMOS canal N de niveau standard, transistor FET (Field-Effect) à mode d'enrichissement canal N de niveau standard dans un boîtier en plastique avec la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu et certifié conforme à la norme AEC pour une utilisation dans les applications automobiles critiques.

Faibles pertes de conduction grâce à la faible résistance à l'état passant

Conforme à la norme Q101

Adapté pour les sources de commande de grille de niveau standard

Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 185 °C

Charges 12 V

Systèmes automobiles

Commutation de puissance à usage général

Moteurs, lampes et solénoïdes

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