MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101

Sous-total (2500 unités, sur une bobine de 2500)*

1 697,50 €

HT

2 037,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 16 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,679 €1 697,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
249-6910
Référence fabricant:
IPD90N03S4L03ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

IPD

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'OptiMOS d'Infineon est un MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est homologué AEC Q101. MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de crête. Produit écologique (conforme à la directive RoHS) et testé à 100 % Avalanche.

Température d'utilisation de 175 °C

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.