MOSFET P Infineon 85 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 229-1834
- Référence fabricant:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 165,00 €
HT
1 397,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,466 € | 1 165,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-1834
- Référence fabricant:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 85A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | IPD | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | -1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 85A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série IPD | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf -1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.22mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET de puissance de niveau logique Infineon n utilisé pour les applications automobiles. Il offre les pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique plus élevé. Il s'agit de boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.
Il est conforme à la directive RoHS et certifié AEC
Sa température d'utilisation est de 175 °C.
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