MOSFET P Infineon -90 A -40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
258-3869
Référence fabricant:
IPD90P04P405ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-90A

Tension Drain Source maximum Vds

-40V

Type de Boitier

TO-252

Série

IPD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

118nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor de puissance OptiMOS-P2 d'Infineon offre les pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique élevé. Boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Aucune pompe de charge nécessaire pour l'entraînement haut côté

Circuit d'entraînement d'interface simple

Capacité de courant la plus élevée

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