MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 249-6911
- Référence fabricant:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2 unités, dans un pack de 2)*
4,37 €
HT
5,24 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 2 470 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,185 € | 4,37 € |
| 20 - 48 | 1,94 € | 3,88 € |
| 50 - 98 | 1,805 € | 3,61 € |
| 100 - 198 | 1,685 € | 3,37 € |
| 200 + | 1,56 € | 3,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 249-6911
- Référence fabricant:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | IPD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série IPD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 50 A 80 V Enrichissement TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET P Infineon -80 A -30 V Enrichissement PG-TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET P Infineon -85 A -40 V Enrichissement, TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 180 A 75 V N TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET P Infineon -50 A -30 V Enrichissement, PG-TO-252 IPD AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 75 A N, TO-252 IPD
- MOSFET P Infineon 180 A 75 V P TO-252 IPD AEC-Q101
