MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, TO-252 AEC-Q101

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Code commande RS:
254-8666
Référence fabricant:
DMTH47M2SK3-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état actif tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les convertisseurs c.c./c.c. et l'alimentation

Faible résistance à l'état passant Faibles pertes de puissance Faibles pertes de commutation Sans halogène et sans antimoine

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