MOSFET canal N DiodesZetex 17.6 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6904
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LK3Q-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 675,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,67 € | 1 675,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6904
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LK3Q-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0052Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0052Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier TO252. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il possède un excellent produit Qgd xRDS(ON) (FOM) et une technologie avancée pour la conversion c.c.-c.c..
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre une commutation inductive 100 % débridée et assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il offre un faible RDS(ON) et permet de minimiser les pertes à l'état passant.
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