MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 254-8645
- Référence fabricant:
- DMT15H053SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 082,50 €
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1 300,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,433 € | 1 082,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 254-8645
- Référence fabricant:
- DMT15H053SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.29mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Longueur | 6.58mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.29mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.1mm | ||
Longueur 6.58mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET en mode d'amélioration DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état actif tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les convertisseurs c.c./c.c. et l'alimentation
Faible résistance à l'état passant Faibles pertes de puissance Faibles pertes de commutation Sans halogène et sans antimoine
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