MOSFET canal N Nexperia 120 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PSMN3R4-30BLE Non

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Code commande RS:
554-331
Référence fabricant:
PSMN3R4-30BLE,118
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

PSMN3R4-30BLE

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.1mm

Largeur

9.7mm

Normes/homologations

IEC 60134

Longueur

14.8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le MOSFET à canal N de niveau logique Nexperia en boîtier D2PAK est qualifié jusqu'à 175 °C. Il est conçu et qualifié pour être utilisé dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques. Il est utilisé dans des applications telles que les fusibles électroniques, les échanges à chaud, les interrupteurs de charge et les démarrages progressifs.

Zone de sécurité à polarisation directe améliorée pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur

Très faible Rdson pour de faibles pertes de conduction

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