MOSFET canal N Nexperia 82 A 80 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*

1 090,50 €

HT

1 308,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 1 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1500 +0,727 €1 090,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
124-2416
Référence fabricant:
PSMN8R2-80YS,115
Marque:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

82A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

13.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

130W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.1mm

Largeur

4.1mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.