MOSFET canal N Nexperia 100 A 25 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*

1 461,00 €

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Code commande RS:
124-2408
Référence fabricant:
PSMN0R9-25YLC,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.25mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Dissipation de puissance maximum Pd

272W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.1mm

Longueur

5mm

Largeur

4.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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