MOSFET canal N Nexperia 100 A 25 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669
- Code commande RS:
- 798-2895
- Référence fabricant:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Marque:
- Nexperia
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|---|---|---|
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- Code commande RS:
- 798-2895
- Référence fabricant:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | SOT-669 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.25mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 272W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 4.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier SOT-669 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.25mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 272W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 4.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
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