MOSFET canal N ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-563 EM6K7
- Code commande RS:
- 124-6574
- Référence fabricant:
- EM6K7T2R
- Marque:
- ROHM
Indisponible
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- Code commande RS:
- 124-6574
- Référence fabricant:
- EM6K7T2R
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 200 mA | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 20 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Type de Boitier | SOT-563 | |
| Série | EM6K7 | |
| Tension directe (Vf) | 1.2 V | |
| Hauteur | 500 μm | |
| Longueur | 1.6 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 4.8 Ω | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | -8 V, +8 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 150 mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 1.2 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 200 mA | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 20 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 6 | ||
Type de Boitier SOT-563 | ||
Série EM6K7 | ||
Tension directe (Vf) 1.2 V | ||
Hauteur 500 μm | ||
Longueur 1.6 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 4.8 Ω | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) -8 V, +8 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 150 mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 1.2 mm | ||
- Pays d'origine :
- JP
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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