MOSFET canal N ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C002UN

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1500 - 36000,052 €7,80 €
3750 - 73500,051 €7,65 €
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Code commande RS:
124-6784
Référence fabricant:
RE1C002UNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RE1C002UN

Type de Boitier

SOT-416

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.8mm

Largeur

0.96mm

Normes/homologations

No

Longueur

1.7mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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