MOSFET canal N ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, ESM RUM002N02

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Code commande RS:
124-6839
Référence fabricant:
RUM002N02T2L
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

ESM

Série

RUM002N02

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

900μm

Normes/homologations

No

Longueur

1.3mm

Hauteur

450μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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