MOSFET canal N ROHM 100 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, ESM RUM001L02

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
124-6838
Référence fabricant:
RUM001L02T2CL
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

ESM

Série

RUM001L02

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Longueur

1.3mm

Largeur

900μm

Hauteur

450μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.