MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, ESM RUM002N05

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 60 unités)*

11,28 €

HT

13,56 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
60 - 2400,188 €11,28 €
300 - 5400,12 €7,20 €
600 - 14400,117 €7,02 €
1500 - 29400,114 €6,84 €
3000 +0,111 €6,66 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
124-6840
Référence fabricant:
RUM002N05T2L
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Série

RUM002N05

Type de Boitier

ESM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.2mm

Hauteur

500μm

Normes/homologations

No

Largeur

800μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.