MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RU1J002YN

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Code commande RS:
124-6836
Référence fabricant:
RU1J002YNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

SOT-323

Série

RU1J002YN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.35mm

Longueur

2.1mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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