MOSFET P ROHM 4 A 12 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RAF040P01

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Code commande RS:
124-6767
Référence fabricant:
RAF040P01TCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

SOT-323

Série

RAF040P01

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

68mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Dissipation de puissance maximum Pd

800mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.1mm

Hauteur

820μm

Normes/homologations

No

Largeur

1.8mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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