MOSFET canal N ROHM 2.5 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RUF025N02

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Code commande RS:
183-5622
Référence fabricant:
RUF025N02TL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RUF025N02

Type de Boitier

SOT-323

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

800mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.8mm

Longueur

2.1mm

Hauteur

820μm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP
Power MOSFETs are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

Low voltage(1.5V) drive type

Nch Small-signal MOSFET

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