MOSFET canal N ROHM 2.5 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RUF025N02

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Code commande RS:
183-5622
Référence fabricant:
RUF025N02TL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RUF025N02

Type de Boitier

SOT-323

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

800mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

2.1mm

Largeur

1.8mm

Hauteur

0.82mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP
Les transistors MOSFET de puissance sont des dispositifs à faible résistance fabriqués à l'aide de la technologie de micro-traitement, utiles pour une large gamme d'applications. La large gamme couvre les types compacts, les types haute puissance et les types complexes pour répondre aux divers besoins du marché.

Type d'entraînement à tension faible (1,5 V)

Transistor MOSFET à petit signal à canal N

Boîtier de montage en surface compact

Sans plomb

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