MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 RUC002N05
- Code commande RS:
- 124-6837
- Référence fabricant:
- RUC002N05T116
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 100 unités)*
9,20 €
HT
11,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,092 € | 9,20 € |
| 500 - 900 | 0,049 € | 4,90 € |
| 1000 - 2400 | 0,047 € | 4,70 € |
| 2500 - 4900 | 0,046 € | 4,60 € |
| 5000 + | 0,045 € | 4,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-6837
- Référence fabricant:
- RUC002N05T116
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Série | RUC002N05 | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.2Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.5mm | |
| Hauteur | 1.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Série RUC002N05 | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.2Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.5mm | ||
Hauteur 1.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET canal N, ROHM
Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 210 mA 50 V Enrichissement SC-70 BSS138W
- MOSFET canal N ROHM 100 mA 20 V Enrichissement SC-75 RE1C001UN
- MOSFET canal N ROHM 70 A 600 V Enrichissement, 3 broches
- MOSFET canal N ROHM 1 A 100 V Enrichissement SC-96 RSR010N10
- MOSFET canal N ROHM 3 A 45 V Enrichissement SC-96 RQ5H030TN
- MOSFET canal N ROHM 2.5 A 30 V Enrichissement SC-96 RQ5E025SN
- MOSFET canal N DiodesZetex 200 mA 50 V Enrichissement SC-70 BSS138W AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 600 mA 30 V Enrichissement SC-70 Si1302DL