MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 RUC002N05

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 100 unités)*

9,20 €

HT

11,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
100 - 4000,092 €9,20 €
500 - 9000,049 €4,90 €
1000 - 24000,047 €4,70 €
2500 - 49000,046 €4,60 €
5000 +0,045 €4,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
124-6837
Référence fabricant:
RUC002N05T116
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

SC-70

Série

RUC002N05

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8, +8V

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.15mm

Largeur

1.5mm

Longueur

3.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.