MOSFET canal N ROHM 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 RE1C001UN

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124-6782
Référence fabricant:
RE1C001UNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RE1C001UN

Type de Boitier

SC-75

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

0.96mm

Longueur

1.7mm

Hauteur

0.8mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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