MOSFET canal N ROHM 100 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 RE1C001UN

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124-6782
Référence fabricant:
RE1C001UNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-75

Série

RE1C001UN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.7mm

Largeur

960μm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

800μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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